型号:C0805C225K9PACTU | 类别:陶瓷 | 制造商:Kemet |
封装:0805(2012 公制) | 描述:CAP CER 2.2UF 6.3V 10% X5R 0805 |
详细参数
类别 | 陶瓷 |
---|---|
描述 | CAP CER 2.2UF 6.3V 10% X5R 0805 |
系列 | - |
制造商 | Kemet |
电容 | 2.2µF |
电压_额定 | 6.3V |
容差 | ±10% |
温度系数 | X5R |
安装类型 | 表面贴装,MLCC |
工作温度 | -55°C ~ 85°C |
应用 | 通用 |
等级 | |
封装/外壳 | 0805(2012 公制) |
大小/尺寸 | |
高度_安装111最大值222 | |
厚度 | |
厚度111最大值222 | |
引线间距 | |
特性 | |
包装 | 剪切带 (CT) |
故障率 |
供应商
深圳市科雨电子有限公司 | 周小姐171-4755-196微信同号,无线联通更快捷!8171-4755-1968(微信同号) |
深圳市正信鑫科技有限公司 | 小邹0755-22655674/15099917285 |
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北京显周科技有限公司 | 刘先生13910052844(微信同步) |
深圳市同亨电子有限公司 | 洪小姐,微信18922857317【0755-23816885】/【18922857317】 |
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C0805C225K9PACTU相关型号
- C3216X7T2W104M/SOFT
陶瓷
TDK Corporation
1206(3216 公制)
CAP CER 0.1UF 450V 20% X7T 1206
- B43508A5127M
电容器
EPCOS Inc
AL-ELKO SNAP IN 120UF 450V
- BS108ZL1G
FET - 单
ON Semiconductor
TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
MOSFET N-CH 200V 250MA TO-92
- B57213P309M301
涌入电流限制器 (ICL)
EPCOS Inc
TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
CURRENT LIMITER INRSH 3 OHM 20%
- C0805C225K8RACTU
陶瓷
Kemet
0805(2012 公制)
CAP CER 2.2UF 10V 10% X7R 0805
- BF245A
RF FET
Fairchild Semiconductor
TO-226-3、TO-92-3 标准主体
IC AMP RF N-CH 30V TO-92
- BI-UM-1-2
配件
MPD (Memory Protection Devices)
TO-226-3、TO-92-3 标准主体
INSULATOR FOR LARGE C&D BATTERY
- BMI-S-105
RF 屏蔽
Laird Technologies EMI
TO-226-3、TO-92-3 标准主体
BOARD SHIELD 1.0X1.5" 1PIECE
- B43508A5127M67
电容器
EPCOS Inc
AL-ELKO SNAP IN 120UF 450V
- C3216X7T2W683K
陶瓷
TDK Corporation
1206(3216 公制)
CAP CER 0.068UF 450V X7T 1206
- BS10-L
端子 - 端子和导线接片
Panduit Corp
1206(3216 公制)
BUTT SPLICE NON INS 12-10AWG
- B57213P509M351
涌入电流限制器 (ICL)
EPCOS Inc
1206(3216 公制)
CURRENT LIMITER INRSH 5 OHM 20%
- C0805C225K8RACTU
陶瓷
Kemet
0805(2012 公制)
CAP CER 2.2UF 10V 10% X7R 0805
- BF245C
RF FET
Fairchild Semiconductor
TO-226-3、TO-92-3 标准主体
IC AMP RF NCH 30V 10MA TO-92
- BMI-S-106
RF 屏蔽
Laird Technologies EMI
TO-226-3、TO-92-3 标准主体
BOARD SHIELD 1.326X1.450" 1PIECE
- BI-UM-3-4
配件
MPD (Memory Protection Devices)
TO-226-3、TO-92-3 标准主体
INSULATOR BATTERY MYLAR
- B43508A5127M82
电容器
EPCOS Inc
AL-ELKO SNAP IN 120UF 450V
- C3216X8R1C335K
陶瓷
TDK Corporation
1206(3216 公制)
CAP CER 3.3UF 16V 10% X8R 1206
- BS12I-22
电池座,夹,触点
MPD (Memory Protection Devices)
1206(3216 公制)
9V SNAP I STYLE 12" WIRE LEADS
- B57227K333A1
热敏电阻 - NTC
EPCOS Inc
圆柱形探针组件
NTC THERMISTOR K 227/33 K/A 1
- BF245C_D27Z
RF FET
Fairchild Semiconductor
TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
IC AMP RF N-CH 30V TO-92
- BMI-S-106
RF 屏蔽
Laird Technologies EMI
TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
BOARD SHIELD 1.326X1.450" 1PIECE
- BI-UM-3-4
配件
MPD (Memory Protection Devices)
TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
INSULATOR BATTERY MYLAR
- C3216X8R1C335K
陶瓷
TDK Corporation
1206(3216 公制)
CAP CER 3.3UF 16V 10% X8R 1206
- B43508A5227M
电容器
EPCOS Inc
AL-ELKO SNAP IN 220UF 450V
- B57231V2103K60
热敏电阻 - NTC
EPCOS Inc
0402 10K K60 GHL1895 B-4500 UPA
- BS170_D26Z
FET - 单
Fairchild Semiconductor
TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92
- C0805C225K9PACTU
陶瓷
Kemet
0805(2012 公制)
CAP CER 2.2UF 6.3V 10% X5R 0805
- BF256A
RF FET
ON Semiconductor
TO-226-3、TO-92-3 标准主体
TRANS JFET RF SS N-CH 30V TO-92
- BMI-S-201-F
RF 屏蔽
Laird Technologies EMI
TO-226-3、TO-92-3 标准主体
BOARD SHIELD .476X.538" FRAME
- BJ-122.880MBE-T
振荡器
TXC CORPORATION
6-SMD,无引线(DFN,LCC)
OSC VCXO 122.880 MHZ 3.3V SMD
- C3216X8R1E105K/EPOXY
陶瓷
TDK Corporation
1206(3216 公制)
CAP CER 1UF 25V 10% X8R 1206
- B43508A5227M2
电容器
EPCOS Inc
AL-ELKO SNAP IN 220UF 450V
- B57231V2153K60
热敏电阻 - NTC
EPCOS Inc
0402(1005 公制)
THERMISTOR NTC 15K OHM 10% 0402
- BS170_D27Z
FET - 单
Fairchild Semiconductor
TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92
- BF256AG
RF FET
ON Semiconductor
TO-226-3、TO-92-3 标准主体
TRANS JFET RF SS N-CH 30V TO-92
- C0805C225K9PACTU
陶瓷
Kemet
0805(2012 公制)
CAP CER 2.2UF 6.3V 10% X5R 0805
- C3216X8R1E334K
陶瓷
TDK Corporation
1206(3216 公制)
CAP CER 0.33UF 25V 10% X8R 1206
- B43508A5227M60
电容器
EPCOS Inc
AL-ELKO SNAP IN 220UF 450V
- BJ-155.520MBE-T
振荡器
TXC CORPORATION
6-SMD,无引线(DFN,LCC)
VCXO 155.520 MHZ LVPECL 3.3V SMD